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IRFB3206PBF  与  IPP032N06N3 G  区别

型号 IRFB3206PBF IPP032N06N3 G
唯样编号 A-IRFB3206PBF A-IPP032N06N3 G
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 4.4mm 4.4mm
Rds On(Max)@Id,Vgs 3mΩ@75A,10V 3.2mΩ
上升时间 - 120ns
Ciss - 10000.0pF
Qg-栅极电荷 120nC 124nC
Rth - 0.8K/W
Coss - 2200.0pF
栅极电压Vgs ±20V 2V,4V
正向跨导 - 最小值 - 149S,75S
封装/外壳 TO-220AB TO-220
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -55°C~175°C
连续漏极电流Id 210A 120A
配置 - Single
Ptot max - 188.0W
长度 10mm 10mm
QG - 124.0nC
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
下降时间 - 20ns
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 150µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 6540pF @ 50V -
高度 15.65mm 15.65mm
Budgetary Price €€/1k - 0.55
漏源极电压Vds 60V 60V
Moisture Level - NA
Pd-功率耗散(Max) 300W 188W
典型关闭延迟时间 - 62ns
FET类型 N-Channel N-Channel
系列 HEXFET® -
通道数量 - 1Channel
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 150µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 6540pF @ 50V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 170nC @ 10V -
典型接通延迟时间 - 35ns
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 170nC @ 10V -
库存与单价
库存 1,000 0
工厂交货期 3 - 5天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRFB3206PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

TO-220AB 10mm

暂无价格 1,000 当前型号
STP60NF06 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-220-3

暂无价格 30,000 对比
AOT262L AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-220

暂无价格 0 对比
IRF3805 Infineon  数据手册 功率MOSFET

TO220

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IPP029N06N Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPP029N06NAKSA1_10mm

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IPP040N06N3GXKSA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPP040N06N3 G_TO-220-3

暂无价格 0 对比

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